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因應市場對電子產品輕薄之需求，半導體產業不斷地快速發展。為解決目前二維製程微縮上所遇到的困難，讓摩爾定律（Moore’s
Law）能夠延續，應用矽導通孔（TSV）連接之三維積體電路（3D
IC）構裝技術成為產業積極發展的重要技術－其關鍵便在於矽導通孔製程。其中，若一開始的鑽孔製程品質不良，便會對後續製程品質造成影響，進而導致整體成本提升。是故本論文提出在矽深蝕刻完成鑽孔後，進行金屬化製程前，導入業界成熟的濕蝕刻製程，調整製程參數，以提升矽導通孔品質，並透過電子顯微鏡實際觀察與量測其電性進行濕蝕刻效果
之驗證。
根據實驗結果，鑽孔後若利用濕蝕刻，則能清除矽深蝕刻造成的波浪狀側壁，成功得到平滑側壁，並在後續物理氣相沉積製程中，使金屬層覆蓋率獲得顯著提升。對於孔徑
80um
經過濕蝕刻處理後的孔洞，其填銅比例也相對較高。而在電性方面，經過濕蝕刻處理的矽導通孔除表現較佳，量測結果之電阻值與漏電流亦相對較低。總結，本研究開發出業界可用的濕蝕刻製程，有效提升孔洞品質，並確認矽導通孔電性能有所提升。
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